发明名称 具有动态的多种模式操作的非挥发性记忆体
摘要 本发明揭示了一种延长快闪记忆体装置的使用期限之方法及系统。可将该快闪记忆体装置动态地配置成在每一记忆单元有单一位元(SBC)储存模式或每一记忆单元有多个位元(MBC)模式下储存资料,使SBC资料及MBC资料共存于相同的记忆体阵列内。记忆体的每一分页中储存的一或多个标记位元被用来指示将资料储存在对应的分部时所使用的储存模式之类型,其中一分部可以是一记忆体组、区块、或分页。一控制器监视对应于每一分页的编程-抹除周期之数目,而选择性地改变储存模式,以便将多模式快闪记忆体装置的任何分部之使用期限最大化。
申请公布号 TWI449049 申请公布日期 2014.08.11
申请号 TW097105441 申请日期 2008.02.15
申请人 摩赛德科技股份有限公司 加拿大 发明人 金镇祺
分类号 G11C16/34;G11C16/02 主分类号 G11C16/34
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种快闪记忆体装置,包含:一NAND快闪记忆体阵列,具有一记忆体区块,该记忆体区块具有一用以储存每一记忆单元有多个位元(MBC)资料之一第一分页;一命令解码器,用以回应一外部编程命令,而发出一每一记忆单元有多个位元(MBC)编程命令及每一记忆单元有单一位元(SBC)编程命令中之其一的编程命令;一控制逻辑电路,用以回应该MBC命令或该SBC命令,而执行一编程演算法;以及用以编程之快闪记忆体电路,用以回应该编程演算法,而将该NAND快闪记忆体阵列中该记忆体区块之一第二分页储存SBC资料。
地址 加拿大