发明名称 | 具线圈驱动功能之半导体封装结构 | ||
摘要 | 一种具线圈驱动功能之半导体封装结构,系包括:具有复数线路之承载件、设于该承载件上且电性连接该线路之至少两个具Power MOSFET之封装件、设于该承载件上且电性连接该线路之至少一具控制晶片之封装件、以及设于该承载件上以覆盖该具Power MOSFET之封装件的覆盖件,且该具Power MOSFET之封装件热传导至该覆盖件,使该具Power MOSFET之封装件之热能不会传导至该具控制晶片之封装件。 | ||
申请公布号 | TWM484186 | 申请公布日期 | 2014.08.11 |
申请号 | TW103206508 | 申请日期 | 2014.04.15 |
申请人 | 晶致半导体股份有限公司 | 发明人 | 黄建屏 |
分类号 | H01L23/28;H01L23/48 | 主分类号 | H01L23/28 |
代理机构 | 代理人 | 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 | |
主权项 | 一种具线圈驱动功能之半导体封装结构,系包括:承载件,系具有复数线路;至少二个具功率金属氧化物半导体场效电晶体(Power Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,简称为”Power MOSFET”)之封装件,系设于该承载件上,且各该具Power MOSFET之封装件系具有相对之第一侧与第二侧,该第一侧并电性连接该线路;至少一具控制晶片之封装件,系设于该承载件上且电性连接该线路;以及覆盖件,系设于该承载件上且黏贴于该具Power MOSFET之封装件之第二侧上,俾供该具Power MOSFET之封装件热传导至该覆盖件。 | ||
地址 | 新北市三重区重新路5段609巷4号2楼之1 TW |