利用补偿掺杂之半导体装置杂讯降低

摘要

一或多个实施例叙述一种制造以矽为基础之金属氧化物半导体装置的方法，包括：将一第一掺杂剂植入该装置的一第一部份完成体中，且该第一掺杂剂包括一第一杂讯降低种类，以及将一第二掺杂剂植入该装置的一第二部分完成体中，且该第二掺杂剂以及该第一掺杂剂为具有相反的导电型态。

主权项

一种制造一以矽为基底之金属氧化物半导体装置的方法，包括：将一第一掺杂剂植入该装置的一第一部份完成体中，该第一掺杂剂包括一第一杂讯降低种类，该第一掺杂剂缺乏BF2+；以及将一第二掺杂剂植入该装置的一第二部分完成体中，该第二掺杂剂以及该第一掺杂剂具有相反的导电型态，且该第二掺杂剂缺乏BF2+。