半导体晶圆的接合方法及半导体装置的制造方法

摘要

于本发明之半导体晶圆的接合方法中，系使包含具有助焊活性之硬化剂与热硬化性树脂之接合层60中介存在于半导体晶圆210与半导体晶圆220之间，而获得叠层有半导体晶圆210、220之半导体晶圆叠层体230后，藉由一边加热半导体晶圆叠层体230一边往其厚度方向加压，使焊锡凸块224熔融、固化，并且使前述热硬化性树脂硬化而将半导体晶圆210与半导体晶圆220予以固接，藉此可获得以连接部(焊锡凸块的固化物)225使连接部212与连接部222形成电性连接之半导体晶圆接合体240。

主权项

一种半导体晶圆的接合方法，为将第1半导体晶圆及第2半导体晶圆予以叠层并电性连接之半导体晶圆的接合方法，其特征为具备：第1步骤，系准备：具有贯通前述第1半导体晶圆的厚度方向而设置之复数个连接部之前述第1半导体晶圆；以及具有贯通前述第2半导体晶圆的厚度方向而设置之复数个连接部、及于前述第2半导体晶圆的背面侧连接于前述连接部的端部之焊锡凸块之前述第2半导体晶圆；第2步骤，系使包含具有助焊活性之硬化剂与热硬化性树脂作为构成材料之接合层中介存在于前述第1半导体晶圆与前述第2半导体晶圆之间，并且以使前述第1半导体晶圆的功能面侧之连接部的端部与前述第2半导体晶圆的背面侧之焊锡凸块呈对应之方式进行定位，而得到叠层有前述第1半导体晶圆及前述第2半导体晶圆的半导体晶圆叠层体；以及第3步骤，系藉由一边加热前述半导体晶圆叠层体一边往其厚度方向加压，使前述焊锡凸块熔融、固化，并且使前述热硬化性树脂硬化，而将前述第1半导体晶圆与前述第2半导体晶圆予以固接，藉此，得到以前述焊锡凸块的固化物使前述第1半导体晶圆的连接部与前述第2半导体晶圆的连接部电性连接的半导体晶圆接合体；前述接合层系为，于经氧化处理后之铜板的表面形成该接合层、并于大气中于230℃进行了1分钟的还原处理时，以下列第(I)式所表示之该铜板的氧化铜还原率为70%以上者；氧化铜还原率(%)={1-(还原处理后的氧原子浓度)/(氧化处理后的氧原子浓度)}×100%……第(I)式。