发明名称 |
半导体发光二极体结构 |
摘要 |
一种半导体发光二极体结构,包含有一基板,此基板包含有一主表面和一未被发光二极体结构覆盖之表面;一磊晶结构,设于基板之主表面上,至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层以及一第二导电型半导体层,其中第一导电型半导体层具有一第一侧壁,且第一侧壁包含有至少一与未被发光二极体结构覆盖之表面间呈锐角之第一蚀刻面以及一第二蚀刻面;以及一电极结构,设置于磊晶结构上。 |
申请公布号 |
TWI449214 |
申请公布日期 |
2014.08.11 |
申请号 |
TW100139041 |
申请日期 |
2011.10.27 |
申请人 |
广镓光电股份有限公司 台中市大雅区中部科学工业园区科雅路22号 |
发明人 |
温伟值;郭修邑;王泰钧 |
分类号 |
H01L33/20 |
主分类号 |
H01L33/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种半导体发光二极体结构,包含:一基板,包含有一主表面和一露出表面;一磊晶结构,设于该基板之该主表面上,至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层以及一第二导电型半导体层,其中该第一导电型半导体层具有一第一侧壁,该第一侧壁包含一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面,其中,该第一蚀刻面以及该第二蚀刻面与该露出表面皆不呈垂直;以及一电极结构,设置于该磊晶结构上。 |
地址 |
台中市大雅区中部科学工业园区科雅路22号 |