全－ＮＭＯＳ ４－电晶体非挥发性记忆体单元

摘要

本发明提供一种程式化包含复数个全-NMOS 4-电晶体非挥发性记忆体(NVM)单元之NVM单元阵列的方法。一单元之中的该等四个NMOS电晶体的闸极电极会被连接至一共同储存节点。根据该程式化方法的一实施例，一第一NMOS程式化电晶体、一第二NMOS读取电晶体、一第三NMOS抹除电晶体、以及一第四NMOS控制电晶体的该等汲极电极、主体区电极、源极电极、以及闸极电极全部会被设为一正参考电压。接着，在该阵列中被选择要进行程式化的每一个NVM单元中，一禁制电压会被施加至该读取电晶体的该等源极电极、汲极电极、以及主体区电极，同时将该程式化电晶体的该等源极电极与汲极电极保持在该正参考电压处并且将该程式化电晶体的主体区电极保持在该正参考电压处或是保持在该禁制电压处。在该阵列中没有被选择要进行程式化的每一个NVM单元中，该读取电晶体的该等源极电极、汲极电极、以及主体区电极以及该程式化电晶体的该等源极电极、汲极电极、以及主体区电极会被设为该禁制电压。在该阵列中要被程式化的单元中，该控制电晶体的该等互连源极电极、汲极电极、以及主体区电极会于一事先选定的程式化时间中从该正参考电压处斜降至一事先定义的负控制电压，同时会于该事先选定的程式化时间中将该抹除电晶体的该等互连源极电极、汲极电极、以及主体区电极从该正供应电压处斜降至一事先定义的负抹除电压。在要被程式化的每一个单元中，于该事先选定的时间结束处，该控制电晶体的该等互连源极电极、汲极电极、以及主体区电极会从该事先定义的负控制电压处斜升至该供应电压，同时会将该抹除电晶体的该等互连源极电极、汲极电极、以及主体区电极从该事先定义的负抹除电压处斜升至该正参考电压。接着，在该阵列中的每一个NVM单元中，该等程式化电晶体、抹除电晶体、以及控制电晶体的该等源极电极、汲极电极、主体区电极、以及闸极电极皆会返回到该正参考电压，同时该读取电晶体的该等源极电极、汲极电极、以及主体区电极会被设为该禁制电压。

主权项

一种非挥发性记忆体(NVM)单元，其包括：一第一NMOS程式化电晶体，其具有一汲极电极、一主体区电极、一源极电极、以及一被连接至一共同储存节点的闸极电极；一第二NMOS读取电晶体，其具有一汲极电极、一主体区电极、一源极电极、以及一被连接至该共同储存节点的闸极电极；一第三NMOS抹除电晶体，其具有互连的源极电极、汲极电极、以及主体区电极，以及一被连接至该共同储存节点的闸极电极；以及一第四NMOS控制电晶体，其具有互连的源极电极、汲极电极、以及主体区电极，以及一被连接至该共同储存节点的闸极电极。