| 发明名称 |
形成电子装置之方法 |
| 摘要 |
本发明提供形成电子装置之方法。该方法包括硷性处理光阻图案并允许形成高密度光阻图案。该方法特别适用于半导体装置制造中。 |
| 申请公布号 |
TWI449084 |
申请公布日期 |
2014.08.11 |
| 申请号 |
TW099120756 |
申请日期 |
2010.06.25 |
| 申请人 |
罗门哈斯电子材料有限公司 美国 |
发明人 |
裵荣喆;卡多拉西亚 汤玛斯;刘易 |
| 分类号 |
H01L21/027 |
主分类号 |
H01L21/027 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种形成电子装置之方法，依序包括：(a)提供包括待图案化之一层或多层层体之半导体基板；(b)于该一层或多层层体上形成光阻图案，其中该光阻图案包括第一复数个开口；(c)于硬烘烤制程中热处理该光阻图案以形成硬化的光阻图案；(d)使用有效地使该光阻图案之表面呈硷性之材料处理该硬化的光阻图案；(e)涂覆正向作用组成物层于该光阻图案之第一复数个开口中，该组成物包括树脂成份及酸产生剂；(f)将该正向作用组成物层整片曝光于使该酸产生剂生成酸之条件，其中，于整片曝光期间，于接触该下方经硷处理之光阻图案之该正向作用组成物层之区域中的酸催化去保护反应系被阻止；以及(g)使显影剂溶液接触该光阻图案及该正向作用组成物层。 |
| 地址 |
美国 |
