半导体结构以及其制造方法

摘要

在各种具体实施例中，揭示半导体结构及用以制造此等结构之方法。在一具体实施例中，一方法包括同时在一半导体材料之中或之上形成单向电晶体之一部分与一双向电晶体之一部分。本发明说明并主张其他具体实施例。

主权项

一种形成一半导体结构的方法，该方法包含：在一半导体材料中形成一第一开口；在该第一开口中形成一介电材料；形成一单向电晶体，其中形成该单向电晶体包含在该半导体材料之上形成一屏蔽层并在形成该屏蔽层后在该半导体材料之上形成该单向电晶体之一控制电极，其中该屏蔽层之至少一部分系布置于该控制电极的至少一部分与该半导体材料的至少一部分之间；以及在该半导体材料之中或之上同时形成该单向电晶体之一第一部分与一双向电晶体之一第一部分，其中该介电材料系介于该单向电晶体之一第二部分与该双向电晶体之一第二部分之间。