半导体晶圆表面保护用黏着带及半导体晶圆之制造方法

摘要

本发明系关于一种半导体晶圆表面保护用黏着带及半导体晶圆之制造方法，该黏着带系如下者：于基材膜上具有至少1层之放射线硬化型黏着剂层，下述硬化收缩值S为0.3~1.8，对于不锈钢研削面之放射线照射前之黏着力A为1.5~20 N/25 mm，且放射线照射后之黏着力B为0.01~1.5 N/25 mm，于上述半导体晶圆之半导体晶圆表面保护用黏着带之贴合面侧之表面存在的凹凸之顶部之高度与底部之高度的最大差为10~300μm，上述放射线硬化型黏着剂层之厚度为1~30μm。;硬化收缩值S={(B/A)/(D/C)};A表示对于不锈钢研削面之放射线照射前之黏着力，B表示对于不锈钢研削面之放射线照射后之黏着力，C表示黏着带面之放射线照射前之黏附(tack)力，D表示黏着带面之放射线照射后之黏附力。

主权项

一种半导体晶圆表面保护用黏着带，其系贴合于半导体晶圆并于背面研削时使用者，且于基材膜上具有至少1层之放射线硬化型黏着剂层，下述硬化收缩值S为0.3~1.8，对于不锈钢研削面之放射线照射前之黏着力A为1.5~20 N/25 mm，且放射线照射后之黏着力B为0.01~1.5 N/25 mm，于上述半导体晶圆之半导体晶圆表面保护用黏着带之贴合面侧之表面存在的凹凸之顶部之高度与底部之高度的最大差为10~300μm，且上述放射线硬化型黏着剂层之厚度为1~30μm，硬化收缩值S={(B/A)/(D/C)}(上式中，A表示对于不锈钢研削面之放射线照射前之黏着力，B表示对于不锈钢研削面之放射线照射后之黏着力，C表示黏着带面之放射线照射前之黏附力，D表示黏着带面之放射线照射后之黏附力)。