| 发明名称 |
半导体结构及其形成方法 |
| 摘要 |
一种形成半导体结构之方法，包括提供半导体基底，该半导体基底包括一层介电材料。凹部(recess)系设置在该层介电材料中。该凹部系以包括银之材料所填充。 |
| 申请公布号 |
TWI449089 |
申请公布日期 |
2014.08.11 |
| 申请号 |
TW096144222 |
申请日期 |
2007.11.22 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 美国 |
发明人 |
史瑞克 克里斯多夫;克希尔特 沃克 |
| 分类号 |
H01L21/283;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/283 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种形成半导体结构之方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底包括一层介电材料，凹部系设置在该层介电材料中，该凹部暴露形成于该半导体基底中之电路元件之一部分；在该凹部之侧壁及底表面之其中至少一者之上形成一层包括铑之材料，其中，该层包括铑之材料系额外地形成于该半导体基底之位于该凹部之外的部分之上；以包括银之材料填充该凹部；以及于该电路元件之该部分上形成矽化物。 |
| 地址 |
美国 |
