半导体装置的制造方法、电浆氧化处理方法及电浆处理装置

摘要

于藉由电浆处理装置100而进行闸极电极的选择氧化处理时，系将形成了闸极电极的晶圆W载置于处理室1内的承受器2上，从气体供给系16的Ar(氩)气体供给源17、H2(氢)气体供给源18、及O2(氧)气体供给源19，经由气体导入构件15，将Ar气体、H2气体及O2气体，如成为H2气体与O2气体的流量比H2/O2为1.5以上、20以下，理想为4以上、较理想为8以上的导入处理室1内，处理室内压力作为3~700Pa，例如作为6.7Pa(50mTorr)。

主权项

一种半导体装置的制造方法，系对于形成至少具有多晶矽层、和以高融点金属作为主成分的金属层的层积体的基板进行电浆氧化处理的半导体装置的制造方法，其特征为：将前述基板搬入处理室内，在前述处理室内将H2/O2流量比设定为1.5至20而供给包含氩气气体、氢气气体和氧气气体之处理气体，并且将处理温度设定为100℃以上、900℃以下的状态下，在前述处理室内，藉由在前述处理室内产生前述处理气体的电浆而对前述层积体进行前述电浆氧化处理，对于前述金属层选择性地氧化前述多晶矽层而在前述多晶矽层上形成氧化膜。