发明名称 METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SILICON
摘要 <p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium, wobei ein Silicium enthaltendes Gas in einen Reaktor eingeleitet und durch Reduktion des Silicium enthaltenden Gases polykristallines Silicium auf einem durch direkten Stromdurchgang auf eine Temperatur von wenigstens 550°C erhitzten Trägerkörper abgeschieden wird, dadurch gekennzeichnet, dass während der Reduktion des Silicium enthaltenden Gases wenigstens ein erstes Metall ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Titan, Chrom, Mangan, Eisen, Kobalt, Nickel, Kupfer und Zink zugegen ist, das als ein erster Katalysator wirkt und zudem wenigstens ein vom ersten Metall verschiedenes zweites Metall ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kupfer, Silber und Gold zugegen ist, das als zweiter Katalysator wirkt.</p>
申请公布号 WO2014118019(A1) 申请公布日期 2014.08.07
申请号 WO2014EP50880 申请日期 2014.01.17
申请人 WACKER CHEMIE AG 发明人 KNERER, DIETER;FILAR, PIOTR
分类号 C01B33/035;B01J23/745;B01J23/75;B01J23/755;B01J23/86;B01J23/889;B01J23/89 主分类号 C01B33/035
代理机构 代理人
主权项
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