摘要 |
Elektrisches Bauelement mit einem Trägersubstrat (1), das einen thermischen Ausdehnungskoeffizient αp aufweist, mit einem Chip (2), der auf dem Trägersubstrat (1) in Flip-Chip-Bauweise mittels Bumps (31 bis 36) befestigt ist, wobei der Chip (2) in einer ersten Vorzugsrichtung x1 einen ersten thermischen Ausdehnungskoeffizient α1 aufweist, wobei &Dgr;α1 = |αp –α1| die erste Ausdehnungsdifferenz ist, wobei der Chip (2) in einer zweiten Vorzugsrichtung x2 einen zweiten thermischen Ausdehnungskoeffizient α2 aufweist, wobei &Dgr;α2 = |αp –α2| die zweite Ausdehnungsdifferenz ist, wobei das Bauelement in Richtung x1 die größte mögliche Ausdehnungsdifferenz &Dgr;α1 und in Richtung x2 die geringste mögliche Ausdehnungsdifferenz &Dgr;α2 aufweist, wobei &Dgr;x1 ein erster Abstand ist, der einer Normalprojektion der Verbindungslinie (41) zwischen den Mitten (310, 320) der in der ersten Vorzugsrichtung endständigen Bumps (31, 32) auf die parallel zur x1-Richtung verlaufende x1-Achse entspricht, wobei &Dgr;x2 ein zweiter Abstand ist, der einer Normalprojektion der Verbindungslinie (42) zwischen den Mitten (320, 340) der in der zweiten Vorzugsrichtung endständigen Bumps (32, 34) auf die parallel zur x2-Richtung verlaufende x2-Achse entspricht, wobei die Bumps so angeordnet sind, dass gilt &Dgr;x1 < &Dgr;x2, wobei das Material des Trägersubstrats (1) so gewählt ist, dass α1 > αp > α2 gilt, wobei die untere Fläche des Chips (2) in einen Mittelbereich (20) und einen umlaufenden breiten Randbereich (21) aufgeteilt ist, wobei der Chip im Randbereich keine Bumps aufweist, wobei die Breite des Randbereichs (21) in Richtung x1 größer ist als in Richtung x2, wobei auf der unteren Chipfläche fest mit den Bumps (31 bis 36) verbundene Kontaktflächen (91 bis 96) vorgesehen sind, wobei für die endständigen Bumps (31 bis 34) größere Kontaktflächen (91 bis 94) vorgesehen sind als für die übrigen Bumps (35, 36). |