Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einer vertikalen Dielektrikumsschicht

摘要

Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements wird beschrieben. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Halbleiterkörpers mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche, das Herstellen eines ersten Grabens, der einen Boden und Seitenwände aufweist und der sich von der ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper erstreckt, das Herstellen einer Dielektrikumsschicht entlang wenigstens einer Seitenwand des Grabens und das Füllen des Grabens mit einem Füllmaterial. Das Herstellen der Dielektrikumsschicht umfasst das Herstellen einer Schutzschicht an der wenigstens einen Seitenwand derart, dass die Schutzschicht einen Abschnitt der wenigstens einen Seitenwand unbedeckt lässt, Oxidieren des Halbleiterkörpers im Bereich des unbedeckten Seitenwandabschnitts, um einen ersten Abschnitt der Dielektrikumsschicht herzustellen, das Entfernen der Schutzschicht und das Herstellen eines zweiten Abschnitts der Dielektrikumsschicht an der wenigstens einen Seitenwand.