发明名称 |
一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法,包括:预备硅衬底;在表面形成有氧化硅的硅衬底上生长下电极金属;在下电极金属上旋涂一层光刻胶,热板烘烤,并采用掩膜对光刻胶进行曝光,然后显影,在光刻胶层形成通孔阵列,在通孔中露出光刻胶层下的下电极金属;在通孔中沉积氧化物层;在通孔中蒸发上电极金属;剥离光刻胶及光刻胶上的氧化物层和上电极金属,露出下电极金属,得到表面具有凸起阵列的器件;在凸起的上电极金属上加正电压,将下电极金属接地,在电场激励下使得在凸起的氧化物层内部形成金属纳米颗粒的链条,得到高存储密度多值纳米晶存储器。利用本发明,解决了目前制备纳米晶存储器流程复杂、不可控、成本高等问题。 |
申请公布号 |
CN103972386A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201410222013.3 |
申请日期 |
2014.05.23 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
孙海涛;刘琦;吕杭炳;龙世兵;刘明 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法,其特征在于,该方法包括:步骤1:预备硅衬底,在硅衬底表面形成氧化硅;步骤2:在表面形成有氧化硅的硅衬底上生长下电极金属;步骤3:在下电极金属上旋涂一层光刻胶,热板烘烤,并采用掩膜对光刻胶进行曝光,然后显影,在光刻胶层形成通孔阵列,在通孔中露出光刻胶层下的下电极金属;步骤4:在通孔中沉积氧化物层;步骤5:在通孔中的氧化物层上蒸发上电极金属;步骤6:剥离光刻胶及光刻胶上的氧化物层和上电极金属,露出下电极金属,得到表面具有凸起阵列的器件,该凸起阵列中的每一个凸起均由氧化物层和上电极金属构成,且上电极金属形成于氧化物层之上;步骤7:在凸起的上电极金属上加正电压,将下电极金属接地,在电场激励下使得在凸起的氧化物层内部形成金属纳米颗粒的链条,得到高存储密度多值纳米晶存储器。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |