| 发明名称 | 一种半导体精细特征尺寸图形的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体精细特征尺寸图形的形成方法，包括：在半导体衬底上形成掩模层；对衬底上的掩模层进行光刻并刻蚀，以形成具有第一特征尺寸的掩模图形；在第一图形上沉积一层氮化硅作为共形层，覆盖暴露出来的衬底表面以及掩模图形的侧墙；在所述氮化硅共形层的基础上沉积填充层；通过化学机械研磨对填充层及氮化硅共形层进行平坦化，直至暴露出掩模层的顶部；选择性的去除掩模层以及填充层，仅留下半导体衬底以及氮化硅共形层；利用氮化硅共形层作为刻蚀掩模对衬底进行刻蚀，形成具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的掩模图形。本发明可将光刻的物理限制打破，得到更小尺寸的图形。 | ||
| 申请公布号 | CN103972057A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201410228262.3 | 申请日期 | 2014.05.27 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 桑宁波;李润领 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种半导体精细特征尺寸图形的形成方法，其特征在于，包括：步骤S01：在半导体衬底上形成掩模层；步骤S02：对衬底上的掩模层进行光刻并刻蚀，以形成具有第一特征尺寸的掩模图形；步骤S03：在第一图形上沉积一层氮化硅作为共形层，覆盖暴露出来的衬底表面以及掩模图形的侧墙；步骤S04：在所述氮化硅共形层的基础上沉积填充层；步骤S05：通过化学机械研磨对填充层及氮化硅共形层进行平坦化，直至暴露出掩模层的顶部；步骤S06：选择性的去除掩模层以及填充层，仅留下半导体衬底以及氮化硅共形层；步骤S07：利用氮化硅共形层作为刻蚀掩模对衬底进行刻蚀，形成具有小于第一特征尺寸的第二特征尺寸的掩模图形。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||