超浅结的形成方法及半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供一种超浅结的形成方法及半导体器件的形成方法，所述超浅结的形成方法，包括：提供一硅衬底，所述硅衬底上形成有栅极结构；在-60℃～-100℃温度下，以栅极结构为掩膜，向所述硅衬底进行第一离子注入，形成非晶化区；向非晶化区进行第二离子注入，形成超浅结。本发明在-60℃～-100℃温度下，抑制了硅衬底的自退火效应，有效的形成非晶化区，抑制了行程末端损伤的生成。又因为第一离子为碳或氟离子，抑制了第二离子的瞬时增强扩散，碳或氟所捕获行程末端损伤及间隙空位的效能依然能够作用于超浅结，这就使得一步低温碳注入可以替代传统的锗和碳的两步注入，缩短了生产工艺流程，节约资源。

主权项

一种超浅结的形成方法，其特征在于，包括：提供一硅衬底，所述硅衬底上形成有栅极结构；在‑60℃～‑100℃温度下，以所述栅极结构为掩膜，向所述硅衬底进行第一离子注入，形成非晶化区；在‑60℃～‑100℃温度下，以所述栅极结构为掩膜，向所述非晶化区进行第二离子注入，形成超浅结。