发明名称 |
发光器件 |
摘要 |
本申请公开了一种发光器件,包括:导电基板;第一电极层,布置在所述导电基板上;发光结构,布置在所述第一电极层上,所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层;以及第二电极层,电连接到所述第二半导体层,其中,所述第一电极层包括:透明电极层,布置在所述导电基板和所述第一半导体层之间;以及欧姆层,包括多个金属接触部,所述金属接触部竖直穿过所述透明电极层,其中每个金属接触部包括AuBe。本申请的发光器件能够降低正向电压并且提高发光效率。 |
申请公布号 |
CN103972362A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201410043874.5 |
申请日期 |
2014.01.29 |
申请人 |
LG 伊诺特有限公司 |
发明人 |
朴范斗;金台镇;金珉奭;成永运;李尚俊;李泰庸;洪起勇;黄善教 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张浴月;李玉锁 |
主权项 |
一种发光器件,包括:导电基板;第一电极层,布置在所述导电基板上;发光结构,布置在所述第一电极层上,所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层;以及第二电极层,电连接到所述第二半导体层,其中,所述第一电极层包括:透明电极层,布置在所述导电基板和所述第一半导体层之间;以及欧姆层,包括多个金属接触部,所述金属接触部竖直穿过所述透明电极层,其中每个金属接触部包括AuBe。 |
地址 |
韩国首尔 |