用于操作SRAM单元的方法

摘要

本发明公开了用于操作SRAM单元的方法和包括静态随机存储器(SRAM)阵列的电路。SRAM单元位于SRAM阵列中，并且包括p阱区、位于p阱区的相对侧的第一n阱区和第二n阱区以及第一和第二传输门FinFET。第一传输门FinFET和第二传输门FinFET是p型FinFET。CVss线位于p阱区上方，CVss线平行于p阱区和第一n阱区之间的界面。位线和位线条位于CVss线的相对侧。CVdd线横跨SRAM单元。CVss控制电路连接至CVss线。CVss控制电路被配置为将第一CVss电压和第二CVss电压提供给CVss线，其中，第一CVss电压和第二CVss电压互不相同。

主权项

一种电路，包括：静态随机存储器(SRAM)阵列；SRAM单元，位于所述SRAM阵列中，所述SRAM单元包括：p阱区；第一n阱区和第二n阱区，位于所述p阱区的相对侧；和第一传输门FinFET和第二传输门FinFET，所述第一传输门FinFET和所述第二传输门FinFET是p型FinFET；CVss线，位于所述p阱区上方，所述CVss线平行于所述p阱区和所述第一n阱区之间的界面；位线和位线条，位于所述CVss线的相对侧；CVdd线，横跨所述SRAM单元；以及CVss控制电路，连接至所述CVss线，所述CVss控制电路被配置为将第一CVss电压和第二CVss电压提供给所述CVss线，所述第一CVss电压和所述第二CVss电压互不相同。