硫化物上转换发光的荧光粉及其制备方法和应用

摘要

本发明属于荧光粉领域，其公开了一种硫化物上转换发光的荧光粉及其制备方法和应用；该荧光粉的结构式为aGeS₂-bGa₂S₃:cTm³⁺；其中，Tm³⁺为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，0.52≤a≤0.7、0.28≤b≤0.45、0.005≤c≤0.03，且a+b+c＝1。本发明制备的硫化物上转换发光的荧光粉，可实现由红外至绿光的长波辐射激发出蓝光短波发光。因此，该荧光粉可弥补目前显示和发光材料中蓝光材料的不足。

主权项

一种硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、按照摩尔百分数，称取粉体：GeS₂，52%～70%；Ga₂S₃，28%～45%；Tm₂S₃，0.5%～3%；步骤S2、将步骤S1称取的粉体混合、研磨20～60分钟，获得粉料前驱体；步骤S3、将步骤S2的粉料前驱体于800～1000℃下煅烧0.5～5小时，随后降温至100～300℃，并在此温度下保温0.5～3小时后冷却至室温，获得块状产物；步骤S4、将步骤S3中的块状产物进行研磨，获得所述硫化物上转换发光的荧光粉；该荧光粉的结构式为aGeS₂‑bGa₂S₃:cTm³⁺；其中，Tm³⁺为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，0.52≤a≤0.7、0.28≤b≤0.45、0.005≤c≤0.03，且a+b+c=1。