发明名称 |
集成电路、半导体器件和制造半导体器件的方法 |
摘要 |
一种包括半导体器件的集成电路具有功率部件和传感器部件,所述功率部件包括在单元阵列中的多个沟槽,该多个沟槽在第一方向上延伸,所述传感器部件被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元,传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积。集成电路进一步包括在传感器部件和功率部件之间设置的隔离沟槽,绝缘材料被设置在隔离沟槽中。隔离沟槽在与第一方向不同的第二方向上延伸。 |
申请公布号 |
CN103972234A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201410043900.4 |
申请日期 |
2014.01.30 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
A.迈泽尔;S.蒂勒;M.聪德尔 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
马丽娜;徐红燕 |
主权项 |
一种包含半导体器件的集成电路,包括:功率部件,其包括在单元阵列中的多个沟槽,所述多个沟槽在第一方向上延伸;传感器部件,其被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元,所述传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积;和在传感器部件和功率部件之间设置的隔离沟槽,绝缘材料被设置在所述隔离沟槽中,所述隔离沟槽在与第一方向不同的第二方向上延伸。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |