发明名称 |
通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法,在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤:设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版,所述光刻掩模版的形状为圆形,所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径;在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后,以使得所述光刻掩模版的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版布置在所述晶圆上,从而利用所述光刻掩模版对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留;在去除光阻残留后进行光刻工艺。通过应用本发明,可以有效地去除剥落缺陷的源头,从而根本上避免剥落缺陷的发生,为在线缺陷去除提供保障,为大批量晶圆生成提供良率保障。 |
申请公布号 |
CN103972163A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201410217928.5 |
申请日期 |
2014.05.21 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
范荣伟;王恺;龙吟;顾晓芳;陈宏璘 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
王宏婧 |
主权项 |
一种通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法,其特征在于在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤:设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版,所述光刻掩模版的形状为圆形,所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径;在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后,以使得所述光刻掩模版的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版布置在所述晶圆上,从而利用所述光刻掩模版对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |