发明名称 |
机械法制备方镁石-碳化硅-碳复合粉体的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种机械法制备方镁石-碳化硅-碳复合粉体的方法。其技术方案是:先将50~80wt%的菱镁矿粉、5~25wt%的单质硅粉和10~40wt%的石墨放入球磨机中,球磨机中的碾磨介质为碳化钨球;然后在氩气气氛保护或真空条件下混磨2~20小时,即得方镁石-碳化硅-碳复合粉体。其中:菱镁矿的粒径为50~100μm,菱镁矿中的MgO含量≥40wt%;单质硅粉的粒径为50~100μm,单质硅粉中的Si含量≥95wt%;石墨的粒径为50~200μm,石墨中的C含量≥88wt%。本发明制备工艺简单,所制备的方镁石-碳化硅-碳复合粉体的粒度为5nm~80µm,该复合粉体的物相分布均匀,抗熔体侵蚀、抗渗透性能和抗热震性能优良,能提升高温材料的服役性能。 |
申请公布号 |
CN103964872A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201410185698.9 |
申请日期 |
2014.05.05 |
申请人 |
武汉科技大学 |
发明人 |
魏耀武;李楠 |
分类号 |
C04B35/66(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/66(2006.01)I |
代理机构 |
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 |
代理人 |
张火春 |
主权项 |
一种机械法制备方镁石‑碳化硅‑碳复合粉体的方法,其特征在于先将50~80wt%的菱镁矿粉、5~25wt%的单质硅粉和10~40wt%的石墨放入球磨机中,球磨机中的碾磨介质为碳化钨球;然后在氩气气氛保护或真空条件下混磨2~20小时,制得方镁石‑碳化硅‑碳复合粉体。 |
地址 |
430081 湖北省武汉市青山区建设一路 |