| 发明名称 | 一种新型功率半导体模块 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种新型功率半导体模块，包括芯片、DBC板、基板、硅胶保护层，所述芯片焊接在所述DBC板上，所述DBC板焊接在所述基板的上部表面上，所述硅胶保护层覆盖在所述芯片上，所述基板为复合板，所述复合板设有两层或两层以上，所述DBC板焊接在所述复合板的最上层的表面上。本实用新型实现了功率半导体模块和散热器一体化设计，免去了导热硅脂；功率半导体模块的芯片到散热器的总热阻降为Rjh=Rchip+Rsolder1+RDBC+Rsolder2+Rcuplate，降低了由于安装引起的机械应力，而且减小了热应力，可靠性提高，安装使用更加方便；同时其生产与国内现有设备和工艺兼容，生产成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN203760465U | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201420040658.0 | 申请日期 | 2014.01.22 |
| 申请人 | 扬州虹扬科技发展有限公司 | 发明人 | 贺东晓;尹建维 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人 | 赵秀斌 |
| 主权项 | 一种新型功率半导体模块，其特征在于：包括芯片、DBC板、基板、硅胶保护层，所述芯片焊接在所述DBC板上，所述DBC板焊接在所述基板的上部表面上，所述硅胶保护层覆盖在所述芯片上，所述基板为复合板，所述复合板设有两层或两层以上，所述DBC板焊接在所述复合板的最上层的表面上。 | ||
| 地址 | 225116 江苏省扬州市槐泗镇弘扬东路45号 | ||