基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构及其制备工艺

摘要

本发明涉及一种基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构，包括P型晶体硅，所述的P型晶体硅衬底底部具有由本征异质材料层以及N型异质材料层构成的异质结结构，所述的本征异质材料层插于N型异质材料层与P型晶体硅之间，N型异质材料层外部包裹有绝缘层，所述的绝缘层的底部设置有铝金属层；所述的P型晶体硅衬底底部两端设置有P+定域掺杂区，P+定域掺杂区的下方具有点接触的铝烧结区。本发明在保留异质结的良好钝化效果的同时，可以将光生空穴通过背结构良好导出，还能防止同质浮动结的针孔寄生回路问题。

主权项

一种基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：1)在P型晶体硅衬底上利用PECVD沉积本征非晶硅层，厚度范围为0～15nm；2)在本征非晶层上继续利用PECVD沉积N型非晶硅层，厚度范围为5～30nm，N掺杂的浓度为1E16cm^‑3～1E20cm^‑3；3)利用掩膜刻蚀N型非晶硅层和本征非晶硅层；4)利用PECVD等离子化学气相沉积设备沉积SiO₂绝缘层，沉积的厚度为20～100nm；5)利用PVD物理气相沉积设备沉积100～500nm的铝金属层；6)利用激光脉冲退火技术将铝穿透SiO₂绝缘层烧结进P型晶体硅，形成P+定域掺杂区和铝烧结区。