用于检测晶片的斜面上的污染物的XRF测量设备

摘要

公开了用于检测晶片的斜面上的污染物的XRF测量设备。XRF(x射线荧光)测量设备(1)包括：x射线源(2)，用于产生x射线(4)，x射线光学元件(3)，用于将来自x射线源(2)的x射线(4)引导至样品(5)，样品(5)，和EDS(能量色散谱)检测器(7)，用于检测来自样品(5)的荧光x射线(14)，其特征在于，样品(5)是晶片(6)，特别是硅晶片，其中，x射线光学元件(3)被定位为将x射线(4)引导至晶片(6)的斜面(12)上，并且x射线源(2)加上x射线光学元件(3)具有至少是5×10⁷计数／秒平方毫米的亮度，优选地具有至少是1×10⁸计数／秒平方毫米的亮度。本发明允许改进对晶片的污染物控制，特别是硅晶片。

主权项

一种XRF(x射线荧光)测量设备(1)，包括x射线源(2)，用于产生x射线(4)，x射线光学元件(3)，用于将来自x射线源(2)的x射线(4)引导至样品(5)，样品(5)，和EDS(能量色散谱)检测器(7)，用于检测来自样品(5)的荧光x射线(14)，所述测量设备(1)的特征在于，样品(5)是晶片(6)，特别是硅晶片，其中，x射线光学元件(3)被定位为将x射线(4)引导至晶片(6)的斜面(12)上，并且x射线源(2)加上x射线光学元件(3)具有至少是5×10⁷计数/秒平方毫米的亮度，优选地具有至少是1×10⁸计数／秒平方毫米的亮度。