| 发明名称 | 半导体器件以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：光电转换部，由半导体制成；滤色器，由被添加了金属离子的无机材料制造；以及吸附膜，形成在光电转换部和滤色器之间，并且构造为捕获金属离子。 | ||
| 申请公布号 | CN103972253A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201410023801.X | 申请日期 | 2014.01.17 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 三木知子 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 焦玉恒 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：光电转换部，由半导体制成；滤色器，由被添加了金属离子的无机材料制成；以及吸附膜，形成在该光电转换部和该滤色器之间，并且构造为捕获该金属离子。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||