| 发明名称 | 将掺杂剂注入到III族氮化物结构中的方法及形成的器件 | ||
| 摘要 | 一种方法包括在衬底上形成III-V族化合物层并且将主掺杂剂注入到III-V族化合物层以形成源极区和漏极区。方法进一步包括将V族物质注入到源极区和漏极区。一种半导体器件包括衬底和衬底上方的III-V族化合物层。半导体器件进一步包括III-V族层中的源极区和漏极区，其中，源极区和漏极区包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且第二掺杂剂包括V族材料。本发明还提供了将掺杂剂注入到III族氮化物结构中的方法及形成的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103972061A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201310162628.7 | 申请日期 | 2013.05.03 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 邱汉钦;江振豪;陈祈铭;喻中一 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成III‑V族化合物层；将主掺杂剂注入到所述III‑V族化合物层中以形成源极区和漏极区；以及将V族物质注入到所述源极区和所述漏极区中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||