| 发明名称 | 半导体元件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体元件结构及其制造方法。半导体元件结构包括栅电极、介电层、有源层、源极、漏极与保护层。有源层与栅电极位在介电层的相反侧上。源极配置在有源层上。漏极配置在有源层上。保护层配置于有源层上。保护层具有氢含量小于或等于0.1at%，并且薄膜片电阻大于或等于10^10Ohm/sq。 | ||
| 申请公布号 | CN103972297A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201310159532.5 | 申请日期 | 2013.05.03 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 颜精一;洪楚茵;陈良湘;姚晓强;蔡武卫 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体元件结构，包括：栅电极；介电层；有源层，其中该有源层与该栅电极位在该介电层的相反侧上；源极，配置于该有源层上；漏极，配置于该有源层上；以及保护层，配置于该有源层上，其中该保护层具有氢含量小于或等于0.1at%，并且薄膜片电阻大于或等于10^10Ohm/sq。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||