发明名称 集成式光刻板制作方法及其制得LED芯片晶粒的分选方法
摘要 本发明提供了一种集成式光刻板制作方法及制得L ED芯片的分选方法。其中集成式光刻板制作方法,包括以下步骤:1)在集成式光刻板上彼此垂直设置的两条分割线,将光刻板划分成四个象限,并将两条分割线分别作为横坐标线和纵坐标,形成坐标系;2)在任一象限中以坐标系的零点为基准,向横坐标线和纵坐标方向延伸形成包含至少一个晶粒模板的方形标准单元区域;3)在四个象限内,连续设置多个与标准单元区域内晶粒模板图形和规格相同的对照单元区域,且每个对照单元区域内各晶粒模板的排列位置与标准单元区域内各晶粒模板的排布位置相同,从而得到集成式光刻板。该方法通过设计集成式光刻板上晶粒的图形和规格,从而将LED芯片的晶粒快速分开。
申请公布号 CN103969942A 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201410182557.1 申请日期 2014.05.04
申请人 湘能华磊光电股份有限公司 发明人 陈小雪;王红锋;彭超
分类号 G03F1/38(2012.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 G03F1/38(2012.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 吴贵明
主权项 一种集成式光刻板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在所述集成式光刻板上彼此垂直设置的两条分割线,将光刻板划分成四个象限,并将所述两条分割线分别作为横坐标线和纵坐标,形成坐标系;2)在任一所述象限中以所述坐标系的零点为基准,向横坐标线和纵坐标方向延伸形成包含至少一个晶粒模板的方形标准单元区域;3)在四个象限内,连续设置多个与所述标准单元区域内晶粒模板图形和规格相同的对照单元区域,且每个所述对照单元区域内各晶粒模板的排列位置与所述标准单元区域内各晶粒模板的排布位置相同,从而得到所述集成式光刻板。
地址 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区