发明名称 |
低功耗SRAM单元电路结构 |
摘要 |
本发明公开了一种低功耗SRAM单元电路结构,包括由四个MOS管构成的锁存器,所述锁存器两侧为门控管,锁存器一端通过一写字线管连接电源,另一端通过一反信号管接地。存储数据的读取通过两个额外的下拉管来完成。本发明电路简单,控制容易。整个电路工作电压可以降低到和普通数字逻辑电路完全一样,从而大大减小工作功耗。对SRAM写电路的驱动能力要求降低,可以简化相关电路设计。对SRAM读电路的灵敏放大器(senseamplifier)要求降低,可以简化相关电路设计。 |
申请公布号 |
CN103971733A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201410192216.2 |
申请日期 |
2014.05.08 |
申请人 |
苏州无离信息技术有限公司 |
发明人 |
张建杰;张泳培 |
分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
刘懿 |
主权项 |
一种低功耗SRAM单元电路结构,其特征在于:包括由四个MOS管构成的锁存器(1),所述锁存器(1)两侧为门控管(2),锁存器(1)一端通过一写字线管(5)连接电源,另一端通过一反信号管(6)接地。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区越溪街道吴中大道1368号1幢A333室 |