| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成氮化硅层；蚀刻所述氮化硅层和所述半导体衬底，以形成鳍部；沉积第一牺牲栅极层；采用化学机械平坦化方法研磨所述第一牺牲栅极层，研磨至接触到所述氮化硅层后停止；沉积第二牺牲栅极层，所述第二牺牲栅极层位于所述鳍部的上方。本发明所提供的鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法通过形成厚度均一的第一牺牲栅极层和第二牺牲栅极层，为后续形成的真正栅极达到厚度均一要求提供了可靠保证。 | ||
| 申请公布号 | CN103972093A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201310036546.8 | 申请日期 | 2013.01.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 蒋莉;黎铭琦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成氮化硅层；选择性蚀刻所述氮化硅层和所述半导体衬底，以形成鳍部；所述鳍部两侧形成有凹槽而上表面仍然覆盖所述氮化硅层；沉积第一牺牲栅极层，所述第一牺牲栅极层填充所述鳍部两侧的所述凹槽，并覆盖所述氮化硅层；采用化学机械平坦化方法研磨所述第一牺牲栅极层，研磨至接触到所述氮化硅层后停止，剩下的所述第一牺牲栅极层位于所述鳍部的两侧；沉积第二牺牲栅极层，所述第二牺牲栅极层位于所述鳍部的上方。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||