发明名称 | 具备ESD保护电路的半导体装置 | ||
摘要 | 本发明提供面积小的ESD保护电路。具备:一端与输入端子(11)连接的、N型阱内的P型扩散电阻(12);在与电源端子连接的N型阱与扩散电阻(12)之间的二极管(14);栅极及源极与接地端子连接、漏极与扩散电阻(12)的另一端连接的NMOS晶体管(15);以及在电源端子与接地端子之间产生的寄生二极管。 | ||
申请公布号 | CN103972230A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
申请号 | CN201410043051.2 | 申请日期 | 2014.01.29 |
申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 片仓贵司;原田博文;广瀬嘉胤 |
分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;王忠忠 |
主权项 | 一种具备ESD保护电路的半导体装置,其特征在于,具有:P型半导体衬底;设于所述P型半导体衬底的N型阱;设于所述N型阱内的P型扩散电阻;在所述N型阱与所述P型扩散电阻之间形成的二极管;设于所述P型半导体衬底的第1 NMOS晶体管及第2 NMOS晶体管;设于所述P型半导体衬底的接地端子;以及设于所述N型阱的电源端子,所述P型扩散电阻的一端与输入端子连接,另一端与所述第1 NMOS晶体管的漏极连接,进而与内部电路连接,所述第1 NMOS晶体管的栅极及源极与所述接地端子连接,所述第2 NMOS晶体管的漏极与所述电源端子连接,所述第2 NMOS晶体管的栅极及源极与所述接地端子连接。 | ||
地址 | 日本千叶县千叶市 |