| 发明名称 | 一种LED芯片GaP层用刻蚀液及刻蚀方法以及表面粗化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LED芯片GaP层用刻蚀液及刻蚀方法以及表面粗化方法，属于表面粗化领域。它包括一种刻蚀液及一种LED芯片表面粗化方法，刻蚀液由盐酸、磷酸、硫酸和双氧水组成，LED芯片表面粗化结合了等离子刻蚀和湿法刻蚀两种方法，使刻蚀孔呈碗状，能有效减小出射光的全反射，提高了LED芯片的出光效率，本发明中的粗化方法不会引起LED芯片表面接触电压升高，对产品可靠性也没有影响，具有工艺简单、设计合理、操作简便的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103966605A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201410239956.7 | 申请日期 | 2014.05.30 |
| 申请人 | 马鞍山太时芯光科技有限公司 | 发明人 | 廖伟;秦坤;李有群;廉鹏 |
| 分类号 | C23F1/16(2006.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | C23F1/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人 | 蒋海军 |
| 主权项 | 一种LED芯片GaP层用刻蚀液，其特征在于：其由盐酸、磷酸、硫酸和双氧水组成，所述的刻蚀液中各组分的体积分数分别为：盐酸10‑20％，磷酸30‑50％，硫酸10‑20％，双氧水25‑40％。 | ||
| 地址 | 243000 安徽省马鞍山市承接转移示范园区凤凰山西路146号 | ||