发明名称 |
链式通孔结构样品处理方法及失效测试方法 |
摘要 |
本发明提供一种链式通孔结构样品处理方法及失效测试方法,包括:提供一链式通孔结构初始样品,所述链式通孔结构初始样品包括第二铜金属层,钽层,形成于通孔中且位于所述钽层上的铜插塞;对所述链式通孔结构初始样品进行研磨,直至暴露所述第二铜金属层;采用湿法刻蚀工艺去除所述第二铜金属层和所述铜插塞,形成链式通孔结构测试样品。本发明采用湿法刻蚀工艺去除第二铜金属层中的铜和铜插塞,留下钽层,避免了金属铜的短路现象,又因为钽层中含有金属钽满足聚焦离子束显微镜的使用要求,从而对链式通孔结构失效位置定位。 |
申请公布号 |
CN103972047A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201410163436.2 |
申请日期 |
2014.04.22 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
唐涌耀;陈强 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
王宏婧 |
主权项 |
一种链式通孔结构样品处理方法,其特征在于,包括:提供一链式通孔结构初始样品,所述链式通孔结构初始样品包括形成于一介质层中的第一沟槽、第二沟槽以及通孔,形成于所述第一沟槽中的第一铜金属层,形成于所述通孔以及第二沟槽侧壁的钽层,形成于所述通孔中且位于所述钽层上的铜插塞,形成于所述第二沟槽中且位于钽层上的第二铜金属层,所述铜插塞与所述第二铜金属层和第一铜金属层连接;对所述链式通孔结构初始样品进行研磨,直至暴露所述第二铜金属层;采用湿法刻蚀工艺去除所述第二铜金属层和所述铜插塞,形成链式通孔结构测试样品。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |