发明名称 链式通孔结构样品处理方法及失效测试方法
摘要 本发明提供一种链式通孔结构样品处理方法及失效测试方法,包括:提供一链式通孔结构初始样品,所述链式通孔结构初始样品包括第二铜金属层,钽层,形成于通孔中且位于所述钽层上的铜插塞;对所述链式通孔结构初始样品进行研磨,直至暴露所述第二铜金属层;采用湿法刻蚀工艺去除所述第二铜金属层和所述铜插塞,形成链式通孔结构测试样品。本发明采用湿法刻蚀工艺去除第二铜金属层中的铜和铜插塞,留下钽层,避免了金属铜的短路现象,又因为钽层中含有金属钽满足聚焦离子束显微镜的使用要求,从而对链式通孔结构失效位置定位。
申请公布号 CN103972047A 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201410163436.2 申请日期 2014.04.22
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 唐涌耀;陈强
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 王宏婧
主权项 一种链式通孔结构样品处理方法,其特征在于,包括:提供一链式通孔结构初始样品,所述链式通孔结构初始样品包括形成于一介质层中的第一沟槽、第二沟槽以及通孔,形成于所述第一沟槽中的第一铜金属层,形成于所述通孔以及第二沟槽侧壁的钽层,形成于所述通孔中且位于所述钽层上的铜插塞,形成于所述第二沟槽中且位于钽层上的第二铜金属层,所述铜插塞与所述第二铜金属层和第一铜金属层连接;对所述链式通孔结构初始样品进行研磨,直至暴露所述第二铜金属层;采用湿法刻蚀工艺去除所述第二铜金属层和所述铜插塞,形成链式通孔结构测试样品。
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号