瞬态电压抑制器及方法

摘要

一种瞬态电压抑制器以及一种用于防止浪涌事件和静电放电事件的方法。第一导电类型的半导体衬底具有在其中形成的第二导电类型的栅极区和阳极区。PN结二极管由栅极区和半导体衬底的一部分形成。邻近栅极区的另一部分形成阴极。晶闸管由阴极、栅极区、衬底以及阳极区形成。齐纳二极管由栅极区和半导体衬底的其他部分形成。第二齐纳二极管具有击穿电压，该击穿电压大于第一齐纳二极管的击穿电压，且大于晶闸管的转折电压。第一齐纳二极管防止浪涌事件，而第二齐纳二极管防止静电放电事件。

主权项

一种瞬态电压抑制器，包括：第一导电类型的半导体衬底(52)，其具有相对的第一主表面(54)和第二主表面(56)；第二导电类型的栅极区，其由所述半导体衬底(52)的第一部分形成，所述栅极区从所述第一主表面(54)延伸到所述半导体衬底(52)中的所述第一部分并具有第一侧(394)和第二侧(396)；阴极区(452)，其由所述栅极区的第一部分形成，所述阴极区(452)为第一导电类型；第一导电类型的第一掺杂区(455)，从所述第一侧(394)延伸到所述栅极区中，所述第一掺杂区(455)和所述栅极区的第一部分用作第一局部击穿区域，所述第一局部击穿区域邻近所述阴极区；以及第一导电类型的第二掺杂区(456)，从所述第二侧(396)延伸到所述栅极区中，所述第二掺杂区(456)和所述栅极区的第二部分用作第二局部击穿区域，所述第二局部击穿区域邻近所述栅极区。