发明名称 多晶粒堆栈封装结构
摘要 一种多晶粒堆栈封装结构,包括一个基板,其上表面上定义晶粒设置区及配置有多个接点,这些接点位于晶粒设置区之外;第一晶粒,具有一有源面及一背面,并以背面设置于晶粒设置区,其有源面上配置有多个第一焊垫且第一焊垫上形成一第一凸块;多条金属导线,用以连接第一凸块至接点;第二晶粒,具有一有源面及一背面,其有源面上配置有多个第二焊垫,第二焊垫上形成一个第二凸块,第二晶粒以有源面面对第一晶粒的有源面接合第一晶粒,使第二凸块分别对应连接金属导线及第一凸块;封胶体,用以覆盖基板、第一晶粒、第二晶粒及金属导线。
申请公布号 CN102315196B 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201010231510.1 申请日期 2010.07.08
申请人 南茂科技股份有限公司 发明人 王伟;刘安鸿;黄祥铭;杨佳达;李宜璋
分类号 H01L23/52(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L23/52(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 郭蔚
主权项 一种多晶粒堆栈封装结构,包括:一基板,具有一上表面及一下表面,该上表面上定义一晶粒设置区及配置有多个接点,所述接点位于该晶粒设置区之外;一第一晶粒,具有一有源面及相对该有源面的一背面,该第一晶粒以该背面设置于该晶粒设置区,该有源面上配置有多个第一焊垫且所述第一焊垫上形成一第一凸块;一第二晶粒,具有一有源面及相对该有源面的一背面以及多个直通硅晶栓塞,所述直通硅晶栓塞贯穿该第二晶粒以使该有源面与该背面间相互电性连接,该有源面上形成多个第二凸块分别连接所述直通硅晶栓塞,其中该第二晶粒以该背面面对该第一晶粒的该有源面接合该第一晶粒,使所述直通硅晶栓塞分别对应连接所述第一凸块;多条金属导线,用以连接所述第二凸块至所述基板上的所述接点;一第三晶粒,具有一有源面及相对该有源面的一背面以及多个直通硅晶栓塞,所述直通硅晶栓塞贯穿该第三晶粒以使该有源面与该背面间相互电性连接,该有源面上形成多个第三凸块分别连接所述直通硅晶栓塞,其中该第三晶粒以该有源面面对该第二晶粒的该有源面接合该第二晶粒,使所述第三凸块分别对应连接所述金属导线及所述第二凸块;一第四晶粒,具有一有源面及相对该有源面的一背面,该有源面上配置有多个第二焊垫,且所述第二焊垫上形成一第四凸块,该第四晶粒以该有源面面对该第三晶粒的该背面接合该第三晶粒,使所述第四凸块分别对应连接该第三晶粒的所述直通硅晶栓塞;及一封胶体,用以覆盖该基板、该第一晶粒、该第二晶粒、该第三晶粒、该第四晶粒及所述金属导线。
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