发明名称 |
金属氧化膜的成膜方法、金属氧化膜及金属氧化膜的成膜装置 |
摘要 |
本发明的目的是提供一种可以使形成的金属氧化膜维持在低电阻且进一步提高生产效率的金属氧化膜的成膜方法。本发明的金属氧化膜的成膜方法中,具备下述的各工序。首先,将含有金属元素和乙二胺(4a)的溶液(4)雾化。另一方面,加热基板(2)。然后,向通过上述加热工序而成为加热状态的基板(2)的第一主面上供给在上述工序中经雾化的溶液(4)。 |
申请公布号 |
CN102482777B |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN200980161287.3 |
申请日期 |
2009.09.02 |
申请人 |
东芝三菱电机产业系统株式会社;国立大学法人京都大学 |
发明人 |
织田容征;白幡孝洋;吉田章男;藤田静雄;龟山直季;川原村敏幸 |
分类号 |
C23C18/12(2006.01)I;B05D3/02(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I |
主分类号 |
C23C18/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
胡烨 |
主权项 |
一种金属氧化膜的成膜方法,其特征在于,包括:(A)使含金属元素和乙二胺(4a)的溶液(4)雾化的工序;(B)加热基板(2)的工序;(C)向所述工序(B)中所述的基板的第一主面上供给在所述工序(A)中经雾化的所述溶液;(D)在所述工序(A)之前,预先准备表示所述乙二胺在所述溶液中的含量、成膜的所述金属氧化膜的载流子浓度和成膜的所述金属氧化膜的迁移率之间的关系的数据的工序;和(E)使用所述工序(D)中的所述数据,确定所述溶液中所述乙二胺的含量,并制作含有该确定的含量的所述乙二胺的所述溶液的工序。 |
地址 |
日本东京 |