半导体功率器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体功率器件的制作方法。先提供一半导体基底，其具有多个芯片区域以及芯片区域间的划线区域。再于半导体基底上形成第一外延层。再于第一外延层表面形成硬掩膜层，于硬掩膜层中形成至少一开口，经由开口刻蚀第一外延层，形成至少一沟槽，其中开口及沟槽横跨多个芯片区域及划线区域，使得沟槽的两端都不落在芯片区域内。接着去除硬掩膜层，再于沟槽中填满一第二外延层，并使第二外延层覆盖第一外延层。再将覆盖在第一外延层上的第二外延层抛光去掉，显露出第一外延层。于第一及第二外延层上形成第三外延层。

主权项

一种半导体功率器件的制作方法，其特征在于，包含：提供一具有第一电性的半导体基底，其上有多个芯片区域以及介于所述芯片区域之间的划线区域；于所述半导体基底上形成一第一外延层，具有所述第一电性；于所述第一外延层表面形成一硬掩膜层；于所述硬掩膜层中形成至少一开口；经由所述开口，刻蚀所述第一外延层，形成至少一沟槽，其中所述开口及所述沟槽横跨所述多个芯片区域以及所述划线区域，使得所述沟槽的两端都不落在所述芯片区域内；去除所述硬掩膜层；于所述沟槽中填满一具有第二电性的第二外延层，并使第二外延层覆盖所述第一外延层；进行一化学机械抛光工艺，将覆盖在所述第一外延层上的所述第二外延层抛光去除，显露出所述第一外延层；以及于所述第一及第二外延层上形成一具有所述第一电性的第三外延层。