半导体激光二极管

摘要

提出一种具有下述特征的半导体激光二极管：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21，22，23，25，26)，所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24)，所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射，其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热；金属化层(3)，所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触，其中上侧(20)通过半导体覆盖层(25)形成；和导出热量的结构化的层(4)；所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上，其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3)，其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距辐射耦合输出面(11)的间距相关地变化，其中导出热量的结构化的层(4)能够实现从有源区域(24)中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向和/或侧向方向变化。

主权项

一种半导体激光二极管，具有：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21，22，23，25，26)，所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24)，所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射，其中所述辐射耦合输出面(11)通过所述半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中所述半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热，金属化层(3)，所述金属化层至少以部分区域与所述半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触，其中所述上侧(20)通过半导体覆盖层(25)形成，和导出热量的结构化的层(4)，所述导出热量的结构化的层位于所述半导体层序列(2)的所述上侧(20)上，其中所述导出热量的结构化的层(4)至少具有所述金属化层(3)，其中所述金属化层(3)具有累加宽度(B1)，并且所述累加宽度(B1)与所述热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距所述辐射耦合输出面(11)的间距相关地变化，其中所述导出热量的结构化的层(4)能够实现从所述有源区域(24)中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向和/或侧向方向变化。