半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含有一半导体基板、一栅极结构、至少一外延层、一层间介电层、至少一接触洞、至少一金属硅化物以及一含氟层。半导体基板，具有至少一栅极区域以及至少一邻近于栅极区域的源/漏漏极区域。栅极结构设置于半导体基板上的栅极区域内。外延层设置于半导体基板上的源/漏漏极区域内。层间介电层覆盖住半导体基板、栅极结构以及外延层。接触洞穿透层间介电层直至暴露出外延层。金属硅化物位于接触洞底部的外延层上。含氟层设置于外延层内或外延层上，且设置于金属硅化物层的外围。

主权项

一种半导体元件，包含有:半导体基板，具有至少一栅极区域以及至少一邻近于该栅极区域的源/漏极区域；栅极结构，设置于该半导体基板上的该栅极区域内；至少一外延层，设置于该半导体基板上的该源/漏极区域内；层间介电层，覆盖住该半导体基板、该栅极结构以及该外延层；至少一接触洞，穿透该层间介电层直至该外延层；至少一金属硅化物，位于该接触洞底部的该外延层上；以及含氟层，设置于该外延层内或该外延层上，且设置于该金属硅化物层的外围。