| 发明名称 | 晶圆表面金属尖突结构的制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种晶圆表面金属尖突结构的制造工艺，在晶圆表面的形成具有沟槽的绝缘层，并且将金属层填满在沟槽内，接着对金属层进行研磨，形成凹陷区，金属层的两端便具有一定的尖突，再对绝缘层进行刻蚀，暴露出金属层两端的尖突结构即可获得金属尖突结构，从而制造出具有尖突结构的金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN103972083A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201410224989.4 | 申请日期 | 2014.05.26 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 梅绍宁;程卫华;朱继锋 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种晶圆表面金属尖突结构的制造工艺，包括步骤：提供晶圆，所述晶圆表面形成有绝缘层和金属层，所述绝缘层设有沟槽，所述金属层填满所述沟槽；对所述金属层进行研磨，形成凹陷区；刻蚀所述绝缘层，暴露出金属层的尖突结构。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||