一种Ge衬底异质结热光伏电池

摘要

本实用新型涉及一种Ge衬底异质结热光伏电池，包括作为基区的Ge衬底，Ge衬底上面自下至上依次生长有发射区、上电极接触层和上电极,Ge衬底下面制有下电极，Ge衬底为较窄禁带宽度p-Ge层；发射区为较宽禁带宽度n-Ga_xIn_yP层。本实用新型由于采用具有较宽禁带宽度的Ga和In比例能够精确调节的n-Ga_xIn_yP层作为发射区，采用较窄禁带宽度的p-Ge衬底作为基区，形成了发射区与基区晶格精确匹配的异质结结构，降低了Ga_xIn_yP/Ge界面复合，宽带隙发射区减少了发射区对光的吸收而增加了基区对光的吸收，从而减小了光生载流子在n型发射区及其表面处复合，提高了光生载流子收集效率，提高了电池的光电转换效率。

主权项

一种Ge衬底异质结热光伏电池，包括作为基区的Ge衬底，Ge衬底上面自下至上依次为发射区、电极接触层和上电极,Ge衬底下面制有下电极，其特征在于：所述Ge衬底为厚度50～500μm的窄禁带宽度p‑Ge层；所述发射区为厚度小于500nm的宽禁带宽度n‑Ga_xIn_yP层，电极接触层与上电极的形状、线宽相同，其顶部被上电极所覆盖；发射区未被栅线和电极接触层覆盖的上表面制有光学减反射层。