发明名称 一种MEMS红外光源
摘要 本实用新型公开了一种MEMS红外光源,包括一具有悬空结构的单晶硅衬底,所述单晶硅衬底的正面和反面分别为SiO<sub>2</sub>薄膜层,所述单晶硅衬底正面的SiO<sub>2</sub>薄膜层包括一层Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜层,所述Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜层上设置有一电极连接层,所述电极连接层上为一电极层,所述电极连接层与电极层形成的加热电极成一条纹结构设置在所述Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜层上。本实用新型制备的MEMS红外光源工艺简单,成本低,易于批量化生产,适用于便携式、微型化的气敏检测系统。
申请公布号 CN203754412U 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201420134722.1 申请日期 2014.03.24
申请人 苏州宏态环保科技有限公司 发明人 石威;赵真真;吴奇;李永方
分类号 B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种MEMS红外光源,其特征在于:包括一具有悬空结构(101)的单晶硅衬底(1),所述单晶硅衬底(1)的正面和反面分别为SiO<sub>2</sub>薄膜层(2),所述单晶硅衬底(1)正面的SiO<sub>2</sub>薄膜层(2)包括一层Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜层(3),所述Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜层(3)上设置有一电极连接层(4),所述电极连接层(4)上为一电极层(5),所述电极连接层(4)与电极层(5)形成的加热电极成一条纹结构(102)设置在所述Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜层(3)上。
地址 215123 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园B2楼708室