反及闪存及其热载子生成和写入方法

摘要

本发明公开了一种反及闪存及其热载子生成和写入方法，存储器元件被叙述成包括一具有多个存储单元的三维阵列，此一阵列具有多层存储单元的阶层，阶层中的存储单元由多条字线和多条位线所存取。控制电路被耦接到这些字线和这些位线。控制电路是用于通过热载子生成辅助FN隧穿，写入位于阵列的一选取的阶层中并位于一选取的字线上的一选取的存储单元，同时通过自我升压(self-boosting)，抑止位于未选取的阶层中和位于此一选取的阶层中并位于未选取的字线上的未选取的存储单元的干扰。

主权项

一种存储器，包括：一包含多个存储单元的三维的阵列，具有多层存储单元的阶层；多条字线，和多条位线；以及控制电路，耦接到这些字线和这些位线，该控制电路用于通过热载子生成辅助FN隧穿，写入位于该阵列的一选取的阶层中并位于一选取的字线上的一选取的存储单元，同时通过自我升压，抑止位于未选取的阶层中和位于该选取的阶层中并位于未选取的字线上的未选取的存储单元的干扰。