| 发明名称 | 太阳能电池 | ||
| 摘要 | 在本文中描述了用于多结太阳能电池的器件、系统和方法。示例性硅锗太阳能电池结构具有基板，并且在基板上生长了渐变缓冲层。在渐变缓冲层中或上面生长了用于第一太阳能电池的基极层和发射极层。在发射极层与基极层之间提供第一结。在第一太阳能电池的顶部上生长第二太阳能电池。 | ||
| 申请公布号 | CN103975449A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201280053618.3 | 申请日期 | 2012.09.02 |
| 申请人 | 安伯韦弗公司 | 发明人 | A.罗赫特菲尔德;A.格杰 |
| 分类号 | H01L31/078(2012.01)I;H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/078(2012.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马丽娜;徐红燕 |
| 主权项 | 一种多太阳能电池结构，包括：基板；渐变缓冲层，其在基板上生长；在渐变缓冲层内的第一太阳能子电池；以及第二太阳能子电池，其在第一太阳能子电池的顶部上生长。 | ||
| 地址 | 美国新罕布什尔州 | ||