| 主权项 |
一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括形成在半导体衬底主的表面上的存储单元和外围晶体管，所述制造方法包括以下步骤：制备所述半导体衬底；在形成有所述存储单元的存储单元形成区中的所述主表面上形成第一堆叠结构，所述第一堆叠结构通过堆叠第一绝缘膜和与所述第一绝缘膜的上表面接触的第一伪电极来获得；在所述存储单元形成区中的所述主表面上形成第二堆叠结构，所述第二堆叠结构通过堆叠第二绝缘膜和第二伪电极来获得，所述第二绝缘膜被形成为与所述第一堆叠结构的侧面接触并且还被形成为具有延伸到所述半导体衬底的所述主表面上的延长部，所述第二伪电极包括所述第二绝缘膜的所述延长部的上表面地与所述第二绝缘膜接触；在形成有所述外围晶体管的外围晶体管形成区中的所述主表面上形成第三堆叠结构，所述第三堆叠结构通过堆叠第三绝缘膜和与所述第三绝缘膜的上表面接触的第三伪电极来获得；形成层间绝缘膜，以便覆盖所述第一堆叠结构、第二堆叠结构和第三堆叠结构；对所述层间绝缘膜的一部分以及所述第一伪电极、第二伪电极和第三伪电极的上表面进行抛光，使得所述第一伪电极、第二伪电极和第三伪电极的上表面从所述层间绝缘膜露出，并且使得所述层间绝缘膜的上表面和露出的所述第一伪电极、第二伪电极和第三伪电极的上表面变平坦；除去露出的所述第一伪电极、第二伪电极和第三伪电极，并且形成第一开口部、第二开口部和第三开口部中的每一个；以及将包括含金属膜和其他膜的含金属堆叠膜填埋到所述第一开口部、所述第二开口部和所述第三开口部中的每一个内，并且由此形成第一含金属膜、第二含金属膜和第三含金属膜，其中，所述第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每一个被形成为具有比所述第三堆叠结构大的高度。 |
