晶体管的制作方法和确定栅极周围侧墙厚度的方法

摘要

本发明提供一种晶体管的制作方法和确定栅极周围侧墙厚度的方法，其中晶体管的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成栅极，在栅极周围形成侧墙；在侧墙周围形成第一牺牲侧墙；以栅极、侧墙和第一牺牲侧墙为掩膜，刻蚀衬底，在第一牺牲侧墙两侧的衬底中形成碗状凹槽，侧墙和第一牺牲侧墙的总厚度使得碗状凹槽边缘在最突出位置进入栅极下方的衬底内的距离小于预定距离；去除部分厚度的第一牺牲侧墙形成第二牺牲侧墙，湿法刻蚀碗状凹槽形成sigma形凹槽，其中，侧墙和第二牺牲侧墙的总厚度确保湿法刻蚀碗状凹槽后能够形成sigma形凹槽；去除第二牺牲侧墙，在sigma形凹槽内填充半导体材料。采用本发明的方法可以提高器件的性能。

主权项

一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成栅极，在所述栅极周围形成侧墙；在侧墙周围形成第一牺牲侧墙；以所述栅极、侧墙和第一牺牲侧墙为掩膜，刻蚀所述衬底，在第一牺牲侧墙两侧的衬底中形成碗状凹槽，所述侧墙和第一牺牲侧墙的总厚度使得所述碗状凹槽边缘在最突出位置进入所述栅极下方的衬底内的距离小于预定距离；去除部分厚度的第一牺牲侧墙形成第二牺牲侧墙，湿法刻蚀所述碗状凹槽形成sigma形凹槽，其中，侧墙和第二牺牲侧墙的总厚度确保所述湿法刻蚀碗状凹槽后能够形成sigma形凹槽；去除第二牺牲侧墙，在所述sigma形凹槽内填充半导体材料。