沟槽隔离结构的形成方法

摘要

一种沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底上形成有沟槽，衬底位于反应腔内；在沟槽的侧壁和底部形成第一氧化硅薄膜层；在反应腔内通入含硅气体，第一氧化硅薄膜层表面吸附含硅气体；在反应腔内通入含氧气体，含氧气体与所述第一氧化硅薄膜层表面吸附的含硅气体反应生成第二氧化硅薄膜层；或者，在反应腔内通入含硅气体，使含氧气体激发形成第一含氧等离子体，第一含氧等离子体与第一氧化硅薄膜层表面吸附的含硅气体反应生成第二氧化硅薄膜层；重复通入含硅气体、含氧气体、生成第二氧化硅薄膜层的步骤，直至沟槽被完全填充。该方法可以实现无间隙高深宽比沟槽填充，填充层致密度高，并避免了张力应力的产生。

主权项

一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有沟槽，所述衬底位于反应腔内；在所述沟槽的侧壁和底部形成第一氧化硅薄膜层；在反应腔内通入含硅气体，所述第一氧化硅薄膜层表面吸附含硅气体；在所述反应腔内通入含氧气体，所述含氧气体与所述第一氧化硅薄膜层表面吸附的含硅气体反应生成第二氧化硅薄膜层；或者，在所述反应腔内通入含氧气体，使所述含氧气体激发形成第一含氧等离子体，所述第一含氧等离子体与所述第一氧化硅薄膜层表面吸附的含硅气体反应生成第二氧化硅薄膜层；重复所述通入含硅气体、含氧气体、生成第二氧化硅薄膜层的步骤，直至所述沟槽被完全填充。