半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着显示器件具有较高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数量都增加。当栅极线和信号线的数量增加时，存在难以通过结合等安装包括驱动栅极线和信号线的驱动电路的IC芯片，从而使制造成本增大的问题。将像素部分和驱动像素部分的驱动电路设置在相同衬底上，使驱动电路的至少一部分包括使用插在设置在氧化物半导体上方和下方的栅电极之间的氧化物半导体的薄膜晶体管。将像素部分和驱动电路设置在相同衬底上，从而可以降低制造成本。

主权项

一种半导体器件，包含：像素部分和驱动电路，其中，所述像素部分至少包括含有第一氧化物半导体层的第一薄膜晶体管，所述驱动电路至少包括含有第二氧化物半导体层的第二薄膜晶体管和含有第三氧化物半导体层的第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管包括在所述第三氧化物半导体层下方的第一栅电极和在所述第三氧化物半导体层上方的第二栅电极，所述第三氧化物半导体层的至少一部分设置在源电极和漏电极之间，且所述第二栅电极与所述第三氧化物半导体层和所述第一栅电极重叠，所述第三氧化物半导体层形成于所述源电极和所述漏电极上，并且所述第二薄膜晶体管是耗尽型晶体管，且所述第三薄膜晶体管是增强型晶体管。